C3M0016120K

C3M0016120K
Mfr. #:
C3M0016120K
Produttore:
CInc COM
Descrizione:
MOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
C3M0016120K Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
C3M0016120K maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Cree, Inc.
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-247-4
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1.2 kV
Id - Corrente di scarico continua:
115 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
28.8 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
1.8 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
15 V
Qg - Carica cancello:
211 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
556 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Confezione:
Tubo
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Cree, Inc.
Tempo di caduta:
13 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
33 ns
Quantità confezione di fabbrica:
30
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
65 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
34 ns
Tags
C3M00, C3M0, C3M
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C3M0016120K Silicon Carbide Power MOSFET
Wolfspeed C3M0016120K Silicon Carbide Power MOSFET facilitates C3M™ MOSFET Technology in an optimized package. The C3M0016120K features high blocking voltage with low on-resistance, as well as high-speed switching with low capacitances. The device offers excellent benefits including a reduction in cooling requirements, switching losses, and gate ringing. Additionally, the C3M0016120K provides an increase in power density and system switching frequency.
Immagine Parte # Descrizione
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OMO.#: OMO-CAS325M12HM2

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