SSM3K72CFS,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-416-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

350 pC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

450 mS

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2 ns

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

SSM3K72C, SSM3K72, SSM3K7, SSM3K, SSM3, SSM