FDS4072N3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

84 S

Tempo di caduta:

18 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

52 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

FDS4072N, FDS4072, FDS407, FDS40, FDS4, FDS