SI5419DU-T1-GE3

Name: Vishay - SI5419DU-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: OMO-3181937
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (1 reviews)

Mfr. #:: SI5419DU-T1-GE3
Produttore:: Vishay
Descrizione:: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Ciclo vitale:: Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:: SI5419DU-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:: DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

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Valore attributo

Produttore: Vishay Siliconix

categoria di prodotto: FET - Single

Serie: TrinceaFETR

Confezione: Imballaggio alternativo Digi-ReelR

Alias parziali: SI5419DU-GE3

Stile di montaggio: SMD/SMT

Pacchetto-Custodia: 8-PowerPakR ChipFET

Tecnologia: si

Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio: Montaggio superficiale

Numero di canali: 1 Channel

Pacchetto-dispositivo-fornitore: 8-PowerPakR ChipFet

Configurazione: Separare

Tipo FET: MOSFET Canale P, ossido di metallo

Potenza-Max: 31W

Tipo a transistor: 1 P-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 30V

Ingresso-Capacità-Ciss-Vds: 1400pF @ 15V

Funzione FET: Standard

Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C: 12A (Tc)

Rds-On-Max-Id-Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2.5V @ 250μA

Gate-Carica-Qg-Vgs: 45nC @ 10V

Pd-Power-Dissipazione: 3.1 W

Massima temperatura di esercizio: + 150 C

Temperatura di esercizio minima: - 55 C

Tempo di caduta: 16 ns 12 ns

Ora di alzarsi: 33 ns 10 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-Continuo-Scarico-Corrente: 9.9 A

Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: - 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistenza: 20 mOhms

Polarità del transistor: Canale P

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico: 30 ns 40 ns

Tempo di ritardo all'accensione tipico: 47 ns 10 ns

Modalità canale: Aumento

Tags: SI541, SI54, SI5

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SI5419DU-T1-GE3 Descrizione

***ied Electronics & Automation: SI5419DU-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 9.9 A; 30 V; 8-Pin PowerPAK ChipFET

***Components: On a Reel of 3000, P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5419DU-T1-GE3

***ure Electronics: Si5419DU Series P-Channel 30 V 20 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-ChipFET-8

***et Europe: Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

***ark: P-Channel 30-V (D-S) Mosfet

***i-Key: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

***: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Market price

Parte #	Mfg.	Descrizione	Azione	Prezzo
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SI5419DU-T1-GE3 DISTI # 70616980	Vishay Siliconix	SI5419DU-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,9.9 A,30 V,8-Pin PowerPAK ChipFET RoHS: Compliant	0	300:$0.3800 600:$0.3300 1500:$0.2700 3000:$0.2600
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SI5419DU-T1-GE3 DISTI # 8181312P	Vishay Intertechnologies	TRANS MOSFET P-CH 30V 9.9A, RL	2040	100:£0.2480 400:£0.2180 1000:£0.1920
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SI5419DU-T1-GE3 DISTI # C1S803601333492	Vishay Intertechnologies	MOSFETs RoHS: Compliant	1996	250:$0.2949 100:$0.3049 25:$0.3794 10:$0.3812

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Mfr.#: SI5419DU-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI5419DU-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

Mfr.#: SI5419DU-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI5419DU-T1-GE3-VISHAY

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

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1000: ~~0,23 USD~~; ~~225,60 USD~~

A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.

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