CSD25213W10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

67 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

850 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

2.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.62 mm

Lunghezza:

1 mm

Serie:

CSD25213W10

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1 mm

Marca:

Texas Instruments

Tempo di caduta:

970 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

520 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

1 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

510 ns

Unità di peso:

0.000039 oz

Tags

CSD252, CSD25, CSD2, CSD