TPCP8J01(TE85L,F,M

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PS8-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P, NPN

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

32 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.06 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

TPCP8J01

Tipo di transistor:

1 P-Channel, NPN

Tipo:

Tipo MOS a canale P in silicio a transistor ad effetto di campo

Larghezza:

2.4 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

90 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

12 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.8 ns

Tags

TPCP8J01(T, TPCP8J, TPCP8, TPCP, TPC