Si4103DY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

140 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

60 S

Tempo di caduta:

26 ns, 28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns, 38 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns, 78 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns, 57 ns

Tags

Si410, SI41, SI4