R8002ANX

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.3 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

12.7 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

35 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Massa

Serie:

R8002ANX

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

70 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

17 ns

Parte # Alias:

R8002ANX

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

R8002A, R8002, R800, R80