NE85633-T1B-A

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

CEL

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Frequenza operativa:

1 GHz

Tipo:

Segnale bipolare RF di piccole dimensioni

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

CEL

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

7 GHz

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW (1/5 W)

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SC3356-T1B-A

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

NE85633-T1B, NE85633-T, NE85633, NE8563, NE856, NE85, NE8