PSMN9R5-100PS,127

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

89 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

82 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

211 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

N-Channel 100 V 9.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

22.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

52.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

PSMN9R5-100P, PSMN9R5-1, PSMN9R5, PSMN9, PSMN, PSM