BDV65B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

N

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Corrente massima del collettore CC:

10 A

Corrente massima di interruzione del collettore:

400 uA

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-93-3 (TO-218)

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Altezza:

12.2 mm

Lunghezza:

15.2 mm

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

10 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

1000

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Tags

BDV65B, BDV65, BDV6, BDV