IXBH9N160G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247AD-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

4.9 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IXBH9N160

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

9 A

Altezza:

21.46 mm

Lunghezza:

16.26 mm

Larghezza:

5.3 mm

Marca:

IXYS

Corrente continua del collettore:

9 A

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

BIMOSFET

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXBH9N16, IXBH9, IXBH, IXB