BSS84AKW,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Id - Corrente di scarico continua:

150 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

0.26 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

310 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel Trench MOSFET

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

48 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BSS84AKW, BSS84A, BSS84, BSS8, BSS