2SD1857TV2P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

82 at 100 mA, 5 V

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

82

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Tags

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