FMB5551

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FMB5551

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

FMB5551_NL

Unità di peso:

0.001270 oz

Tags

FMB5, FMB