NVMFD5853NLWFT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-5x6-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

34 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.4 mOhms, 8.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

23 nC, 23 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

24 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

NVMFD5853NL

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

22 S, 22 S

Tempo di caduta:

4.3 ns, 4.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns, 23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 9 ns

Tags

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