STH185N10F3-6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

114.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

315 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.8 mm

Lunghezza:

15.8 mm

Serie:

STH185N10F3-6

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

10.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

6.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

97.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

99.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25.6 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

STH18, STH1, STH