KSD363YTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

120 V

Collettore-tensione di base VCBO:

300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

8 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

10 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSD363

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.1 mm

Confezione:

Tubo

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

40000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

KSD363YTU_NL

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

KSD363YT, KSD363Y, KSD363, KSD36, KSD3, KSD