2SC2412KT246R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

180 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 1 mA, 6 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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