PBSS8510PA,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-2020-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

285

Altezza:

0.61 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.1 mm

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

5.2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

PBSS85, PBSS8, PBSS, PBS