TSM2NB60CH C5G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.9 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

44 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

1.5 S

Tempo di caduta:

12.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1875

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.1 ns

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

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