BPX 81-3/4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Osram Opto Semiconductor

Categoria di prodotto:

Fototransistor

RoHS:

Y

Prodotto:

Fototransistor

Pacchetto/custodia:

Array in miniatura

Stile di montaggio:

Foro passante

Lunghezza d'onda di picco:

850 nm

Tensione di alimentazione operativa:

-

Corrente massima del collettore in stato:

50 mA

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

35 V

Tensione di rottura collettore-emettitore:

35 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

150 mW

Corrente oscura:

1 nA

Ora di alzarsi:

6 us, 8 us

Tempo di caduta:

6 us, 8 us

Pd - Dissipazione di potenza:

90 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 80 C

Altezza:

3.4 mm

Lunghezza:

2.4 mm

Colore/stile della lente:

Trasparente

Corrente di uscita:

-

Tipo:

Array di fototransistor NPN al silicio

Lunghezza d'onda:

850 nm

Larghezza:

1.8 mm

Marca:

OSRAM Opto Semiconduttori

Ritardo di propagazione - Max:

-

Gradi dell'angolo di mezza intensità:

18 deg

Corrente di luce:

320 uA

Tipologia di prodotto:

Fototransistor

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

Rivelatori e sensori ottici

Parte # Alias:

Q62702P3584

Tags

BPX81-3, BPX81, BPX8, BPX