STW65N65DM2AG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

446 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Tubo

Altezza:

5.15 mm

Lunghezza:

20.15 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Serie:

STW65N65DM2AG

Tipo:

Alta tensione

Larghezza:

15.75 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

11.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

114 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

33 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

STW65N, STW65, STW6, STW