MPQ6502

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-116

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Quad

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Corrente massima del collettore CC:

500 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

200 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MPQ6

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 1 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

MPQ6502 TIN/LEAD

Unità di peso:

0.014110 oz

Tags

MPQ65, MPQ6, MPQ