IXFB120N50P2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PLUS-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

43 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.89 kW

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFB120N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

PolarP2 HiPerFET

Marca:

IXYS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.373904 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF