IKB20N60TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

41 A

Pd - Dissipazione di potenza:

166 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

TRENCHSTOP

Confezione:

Bobina

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

IKB20N60TAATMA1 IKB2N6TAXT SP000629372

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

IKB20N60TA, IKB20N60T, IKB20N60, IKB2, IKB