RJ1G12BGNTLL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.86 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

165 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

178 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

130 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

230 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

40 ns

Parte # Alias:

RJ1G12BGN

Tags

RJ1G, RJ1