NTLJS3113PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WDFN-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

670 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

13 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTLJS3113P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

5.9 S

Tempo di caduta:

56.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.9 ns

Unità di peso:

0.000317 oz

Tags

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