BFU530XAR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare a banda larga

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

16 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2 V

Corrente continua del collettore:

10 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT143B-4

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

24 V

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Frequenza operativa:

900 MHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 150 C

Tipo:

Transistor RF a banda larga

Marca:

Semiconduttori NXP

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

11 GHz

Corrente massima del collettore CC:

65 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

934067707215

Unità di peso:

0.000313 oz

Tags

BFU530X, BFU53, BFU5, BFU