HP8S36TB

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

27 A, 80 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 12 V

Qg - Carica cancello:

4.8 nC, 47 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

10 S, 30 S

Tempo di caduta:

3.4 ns, 66 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns, 27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25.5 ns, 186 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.6 ns, 34 ns

Parte # Alias:

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8