NTMS5835NLR2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

14 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Qg - Carica cancello:

50 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

NTMS5835NL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

NTMS58, NTMS5, NTMS, NTM