TSM650P02CX RFG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

52 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

6.4 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.56 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

11.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM