FGAF40N60UFDTU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-3PF-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.1 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

40 A

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FGAF40N60UFD

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

40 A

Altezza:

16.7 mm

Lunghezza:

15.7 mm

Larghezza:

5.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

40 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

360

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

FGAF40N60UFDTU_NL

Unità di peso:

0.245577 oz

Tags

FGAF40N60UFD, FGAF40N60U, FGAF40N, FGAF4, FGAF, FGA