ZTX1051ASTZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

150 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

155 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZTX1051

Guadagno di corrente CC hFE Max:

290 at 10 mA, 2 V

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

290 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 190 at 4 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

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