2N6229

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

1 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Confezione:

Vassoio

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

10 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N622, 2N62, 2N6