MUN2111T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

10 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-59-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

230 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

35

Altezza:

1.09 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

MUN2111T, MUN2111, MUN211, MUN21, MUN2, MUN