IXFN70N100X

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1000 V

Id - Corrente di scarico continua:

65 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

89 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

350 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1200 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

Classe X

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

34 S

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

127 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

48 ns

Tags

IXFN70, IXFN7, IXFN, IXF