BFG 196 E6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

7500 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Corrente continua del collettore:

0.15 A

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

BFG196E6, BFG196E, BFG196, BFG19, BFG1, BFG