FGH30N6S2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

45 A

Pd - Dissipazione di potenza:

167 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

45 A

Altezza:

20.82 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Larghezza:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

45 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

150

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

FGH30N6S, FGH30N6, FGH30N, FGH3, FGH