ATP212-TL-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ATPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

35 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

23 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

34.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Serie:

ATP212

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

35 S

Tempo di caduta:

87 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

110 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

125 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

ATP212, ATP21, ATP2, ATP