NTS4173PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-70-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

150 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2.1 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTS4173P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

1.24 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

3.6 S

Tempo di caduta:

6.7 ns, 7.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns, 6.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.2 ns, 19.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.3 ns, 7.7 ns

Unità di peso:

0.000219 oz

Tags

NTS417, NTS41, NTS4, NTS