ECH8660-TL-H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ECH-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms, 82 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4.4 nC, 10 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.3 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Serie:

ECH8660

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

7.5 ns, 35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns, 26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns, 45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 ns, 7.5 ns

Unità di peso:

0.000628 oz

Tags

ECH8660, ECH866, ECH86, ECH8, ECH