2SD1864TV2Q

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

Stile di montaggio:

Foro passante

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

90 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 500 mA, 3 V

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

6.8 mm

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

3 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

120

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

sottocategoria:

transistor

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2SD1864, 2SD186, 2SD18, 2SD1, 2SD