STI18N65M5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

198 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

31 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

STI18N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

STI18N6, STI18N, STI18, STI1, STI