IXTA1N170DHV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.7 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

47 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

290 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Tubo

Serie:

Standard

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

570 mS

Tempo di caduta:

216 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

38 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

130 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

46 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

IXTA1N1, IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT