150-101N09A-00

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

160 mOhms

Potenza di uscita:

200 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SMD-6

Confezione:

Tubo

Frequenza operativa:

100 MHz

Serie:

DE

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Numero di canali:

1 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Qg - Carica cancello:

22 nC

Quantità confezione di fabbrica:

40

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Tags

150-10, 150-1, 150