STB30N65M5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

22 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

125 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

64 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

140 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDmesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STB30N65M5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

50 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STB30N, STB30, STB3, STB