BSR202N L6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-SC-59

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

21 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

5.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

BSR202

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

17 S

Tempo di caduta:

3.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.8 ns

Parte # Alias:

BSR202NL6327HTSA1 BSR22NL6327XT SP000257784

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSR202NL, BSR202, BSR20, BSR2, BSR