2N6052G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

PNP

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Corrente massima del collettore CC:

12 A

Corrente massima di interruzione del collettore:

1000 uA

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-204-2 (TO-3)

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6052

Confezione:

Vassoio

Guadagno di corrente CC hFE Max:

18000

Altezza:

8.51 mm

Lunghezza:

39.37 mm

Larghezza:

26.67 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

12 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100, 750

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.423993 oz

Tags

2N6052, 2N605, 2N60, 2N6