2N6768

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-204AE-2

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

400 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

400 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

110 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Microchip / Microsemi

Tempo di caduta:

130 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

190 ns

Quantità confezione di fabbrica:

22

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

170 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Unità di peso:

0.014110 oz

Tags

2N6768, 2N676, 2N67, 2N6